Guangmai Teknoloji se pwofesyonèl nan fè laKoulè nwa jòn SMD ki ap dirije 3030 2835 3V 6V.
Akòz diferans reglabl lajè li yo, fim InGaN gen kandida aplikasyon laj nan jaden an limyè vizib. Itilize nan mikwo-dirije ekspozisyon plen koulè se youn nan aplikasyon ki pi potansyèl yo. Future telefòn entelijan, mont, linèt reyalite vityèl, elatriye ti-gwosè ekspozisyon ap benefisye de mikwo-ki ap dirije teknoloji.
Koulye a, mikwo-dirije teknoloji ap fè fas a de gwo defi yo. Premye a se ke li trè difisil reyalize teknoloji transfè mas, ak lòt la se mank de efikas ak serye limyè wouj mikwo-ki ap dirije chips. Aktyèl wouj ki ap dirije a te fè nan materyèl AlGaInP, ak efikasite li yo se kòm yon wo 60% oswa plis anba gwosè a chip nòmal. Sepandan, lè gwosè a chip redwi a lòd la mikromèt, efikasite li yo pral byen wo gout anba a 1%. Anplis de sa, pòv pwopriyete yo mekanik nan materyèl la AlGaInP ajoute difikilte nouvo nan transfè a mas, paske transfè a mas mande pou materyèl la gen bon fòs mekanik pou fè pou evite fant pandan manyen chip ak plasman.
InGaN materyèl pa sèlman gen pi bon estabilite mekanik ak pi kout longè difizyon twou, men tou se konpatib ak InGaN ki baze sou vèt ak ble mikwo-poul. Li se yon pi bon chwa pou wouj mikwo-poul. Sepandan, InGaN ki baze sou limyè wouj pwopòsyon an byen gen yon pwoblèm grav nan segregasyon endyòm, ki ap mennen nan yon ogmantasyon nan ki pa radyatif konbinezon nan pwopòsyon limyè wouj la byen, kidonk sa ki lakòz yon diminisyon nan efikasite. Nan 20 ane ki sot pase yo nan rechèch, efikasite nan konvèsyon pouvwa nan InGaN ki baze sou poul wouj te mwens pase 2.5%. Pwoblèm nan segregasyon endyòm te seryezman anpeche devlopman nan InGaN ki baze sou poul wouj. Se poutèt sa, ki jan yo rezoud pwoblèm nan nan segregasyon endyòm se kle nan jwenn segondè-efikasite InGaN ki baze sou poul wouj.
Dènyèman, ekip rechèch la nan akademisyen Jiang Fengyi nan Inivèsite Nanchang demontre dènye rezilta segondè-efikasite yo ki baze sou InGaN zoranj-wouj ki ap dirije rezilta nan rechèch fotonik, Volim 8, Nimewo 11, 2020.
(a) Schema dyagram nan efikasite segondè lumineux zoranj dirije estrikti materyèl epitaksyal (b) rezilta tès TEM nan koup transvèsal li yo
Travay sa a baze sou Silisyòm substra galyòm nitrid teknoloji a, prezante endyòm galyòm nitrid wouj limyè pwopòsyon byen ak limyè jòn pwopòsyon byen altènatif metòd kwasans lan, konbine avèk teknoloji twou san fon an ki gen fòm V, kidonk anpil soulaje segondè a Nan pwoblèm segregasyon konpozisyon nan. pwopòsyon limyè wouj la byen. Ki baze sou junction pn ki gen fòm V ak pwopòsyon jeni band bann, pousantaj rekombinasyon radyasyon nan pwopòsyon limyè wouj la ogmante anpil.
Avèk siksè prepare yon seri de efikasite ki baze sou InGaN ki baze sou dirije zoranj-wouj lè l sèvi avèk teknoloji sa a. Lè longèdonn emisyon yo se 594, 608, ak 621 nm, efikasite konvèsyon pouvwa a se 30.1%, 24.0%, ak 16.8%, respektivman. Konpare ak rezilta yo deja rapòte nan menm band la InGaN ki baze sou ki ap dirije, efikasite nan limyè se sou dis fwa pi wo.
Chèchè yo kwè ke teknoloji sa a gen plis plas pou amelyorasyon nan lavni. An menm tan an, rezilta eksperimantal ekip la tou pwouve ke materyèl InGaN ap gen gwo potansyèl ak kandida klere nan pwodiksyon an nan limyè wouj pixel chips pou aplikasyon pou ekspozisyon.
GMKJ bay anpil diferan koulè 3030 smd poul isit la:
Koulè nwa jòn SMD ki ap dirije 3030 2835 3V 6Vgwosè pake:
Koulè nwa jòn SMD ki ap dirije 3030 2835 3V 6Vaplikasyon
Sou Guangmai ki ap dirije / GMKJ ki ap dirije
Fèy done:
Pou plis detay, tanpri ou lib pou kontakte ak Guangmai Tech dirèkteman.
Ou ka telechaje aFèy done vèsyon angleofDark koulè jòn SMD ki ap dirije 3030 2835 3V 6V soti nan tèt la nan paj sa a.
Baj popilè: koulè jòn fonse smd dirije 3030 2835 3v 6v, Lachin, manifaktirè, Swèd, faktori, pri, bon mache, sitasyon, fich, spesifikasyon, spesifikasyon
