PwodwiEspesifikasyon
660nm poul isit la yo ap itilize Epileds, Osram bato ak Epistar bato mak tou.
Nou ka rive jwenn max alantou 4 umol / s / W PPE ak efikasite segondè.
Yon anpil nan kliyan yo ap achte nan men nou nan fè lanp yo kwasans plant dirije ak tou limyè yo terapi ki ap dirije.
Si ou bezwen 670nm kalite longèdonn pi wo, nou genyen sa tou. Men, li vini ak pri pi chè.
Pou plis detay, tanpri kontakte avèk nou dirèkteman.
Non pwodwi | Epistar 660nm dirije Chip pou kwasans plant | Modèl pwodwi | GP-3WDR-G42-660 |
Pouvwa Dissipation | 3W | Limyè Koulè | Wouj fon |
Forward Voltage | 2.0-2.8V | Wè Ang | 120° |
Forward Kouran | 700mA | Tanperati opere | -40~+60 ℃ |
Lumineux Flux | 30-40LM | Tanperati Depo | -40~+85 ℃ |
Longèdonn | 660-665nm | Tanperati soudaj | 180℃ |
Nou gen yon gwo varyete 1W ak 3W poul segondè pouvwa ki disponib.
Si ou bezwen nenpòt ki nan lis anba a, tanpri kontakte avèk nou!
Non pwodwi | Limyè Koulè | CCT / longèdonn | Voltage | Kouran | Lumèn | Remak |
1-3W gwo pouvwa dirije | Lò jòn | 2000-2200K | 2.8-3.6V | 350-700mA | 120-260LM | CRI70,80,90 |
1-3W gwo pouvwa dirije | Blan | 3000-15000K | 2.8-3.6V | 350-700mA | 120-320LM | CRI70,80,90,95+ |
Gwo pouvwa UV ki ap dirije | UV | 365-370nm | 3.0-3.6V | 350-700mA | / | Epileds Chip |
Gwo pouvwa UV ki ap dirije | UV | 370-420nm | 3.0-3.6V | 350-700mA | / | 370-380-390-400-410-420nm |
High Power Blue ki ap dirije | Ble | 440-470nm | 3.0-3.6V | 350-700mA | 10-30LM | 440-450-460-470nm |
High Power Green ki ap dirije | Vèt | 500-530nm | 3.0-3.6V | 350-700mA | 80-200LM | Epileds Chip |
High Power Jòn ki ap dirije | Jòn | 590-595nm | 2.0-2.6V | 350-700mA | 40-90LM | Epileds Chip |
Gwo pouvwa Amber ki ap dirije | Amber | 600-610nm | 2.0-2.6V | 350-700mA | 50-90LM | Epileds Chip |
High Power Wouj ki ap dirije | Wouj | 620-630nm | 2.0-2.6V | 350-700mA | 40-100LM | Epileds Chip |
Gwo pouvwa byen lwen wouj | Byen lwen wouj | 660-665nm | 2.0-2.6V | 350-700mA | 30-60LM | Epileds Chip |
High Power IR dirije | IR | 730-750nm | 2.0-2.6V | 350-700mA | / | Epileds Chip |
High Power IR dirije | IR | 850nm | 1.6-2.0V | 350-700mA | / | Epileds Chip |
High Power IR dirije | IR | 930-940nm | 1.6-1.8V | 350-700mA | / | Epileds Chip |
Foto ak dimansyon



![]()




A. Ekselan chèn ekipman pou matyè premyè, 99.99% lò pite, ankadreman kwiv, estanda sistal.
B. Atizana Sipèb, yon 10years ki gen eksperyans ekip teknik.
C. Yon seri plen ekipman laboratwa.
D. Fè egzateman sistèm kontwòl pwodwi yo.
E. dirije enkapsulasyon konstriksyon standarizasyon.
Plis enfòmasyon pou wè nan je, akeyi ou pou vizite faktori GMKJ.
Baj popilè: epistar 660nm dirije chip pou kwasans plant, Lachin, manifaktirè, Swèd, faktori, pri, bon mache, sitasyon pi ba, fich, karakteristik, spesifikasyon










