Pwodwi Deskripsyon
Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije karakteristik Chip yo montre jan pi ba a:
| Non pwodwi | Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije chip |
| Nimewo pati | GT{{0}R{{1{1}CC0-GH42M |
| Chips mak |
Taiwan Epileds 45mil chips |
| Antre |
700mA 0.8-1.4vdc, max 1000mA kouran avanse |
| Pouvwa radyasyon |
100-400mW ak diferan longèdonn |
| Koulè |
Longèdonn ki disponib:
|
| Pouvwa | 1-2W kouran elektrik |
| Materyèl tablo |
ALO seramik smd dirije tablo |
| Ang ekleraj |
Ang ekleraj:
|
| Mak ak manifakti | GMLEDs, GMKJ |
| Garanti | 4 ane |
| OEM sèvis |
Aliminyòm pcb tablo sèvis asanble ki disponib; 20mm MCPCB ankadreman |
Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije gwosè Chip:

Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije Chip foto:
| San yo pa ankadreman pcb zetwal, ang ekleraj 120 degre, gade anba a | Avèk tablo pcb zetwal MCPCB 20mm, gade anba a |
![]() |
![]() |
| 30 degre ang ekleraj, gade anba a | 60 degre ang ekleraj, gade anba a |
![]() |
![]() |
Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije Chip karakteristik teknik:
|
Paramèt |
Senbòl |
Kondisyon |
min |
Mwayèn |
Maks |
Inite yo |
|
Avant Voltage |
VF |
IF=350mA |
0.60 |
-- |
1.40 |
V |
|
VF |
IF=700mA |
0.80 |
-- |
1.60 |
V |
|
|
Flux radyan |
Φe |
IF=350mA |
40 |
60 |
mw |
|
|
Φe |
IF=700mA |
80 |
100 |
mw |
||
|
Pik longèdonn |
λp |
IF=350mA |
1500 |
1550 |
nm |
|
|
λp |
IF=700mA |
1500 |
1550 |
nm |
||
|
Koyefisyan Tanperati nan Voltage Avant |
∆VF/∆T |
IF=350mA |
−− |
-2 |
−− |
mV / degre |
|
Kouran ranvèse |
IR |
VR=1V |
−− |
−− |
10 |
μ A |
|
Wè Ang |
2Θ1/2 |
IF=350mA |
−− |
120 |
−− |
Degè |
|
Rezistans tèmik Junction Pou Komisyon Konsèy |
RΘJ-B |
IF=350mA |
-- |
6.5 |
-- |
degre /W |

Dirije enfrawouj ki disponib nan GMLEDs:
| Nimewo pati | Pouvwa | Longèdonn | Chips mak | Espesifikasyon antre | ||
| GT{{0}FR-GH42-740 | 1-3W | 730-740nm | Taiwan Epileds 42mil | 2V 700mA | ||
| GT{{0}FR-GH42-750 | 1-3W | 750-760nm | Taiwan Epileds 42mil | 2V 700mA | ||
| GT{{0}FR-GH42-780 | 1-3W | 780-790nm | Taiwan Epileds 42mil | 2V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 2-3W | 800-810nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil | 1.5V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}dJ | 4-6W | 800-810nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack | 3V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 2-3W | 830-840nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil | 1.5V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-LS{2{2}} | 1-1.5W | 845-855nm | Taiwan HPO 26mil | 1.5V 350-500mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-1.5W | 845-855nm | Taiwan Epileds 28mil | 1.5V 350-500mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-1.5W | 845-855nm | Taiwan Epileds 30mil | 1.5V 350-500mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-2W | 845-855nm | Taiwan Epileds 38mil | 1.5V 350-700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 2-3W | 845-855nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil | 1.5V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}dJ | 4-6W | 845-855nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack | 3V 700-1000mA | ||
| GD-3535IR-SA{2{2}dJ | 4-6W | 850-855nm, {{1}mW | Lachin Sanan 42mil, Nano Stack | 3V 700-1500mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 2-3W | 940-950nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil | 1.5V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}dJ | 4-6W | 940-950nm, {{1}mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack | 3V 700-1000mA | ||
| GT-3535IR-LS{2{2}} | 1-3W | 940-950nm | Taiwan HPO 42mil | {{0}V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 980-985nm | Taiwan Epileds 42mil | {{0}V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1000-1050nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.4V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1200-1250nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.4V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1300-1350nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.4V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1400-1450nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.2V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1500-1550nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.2V 700mA | ||
| GT-3535IR-GH{2{2}} | 1-3W | 1575-1580nm | Taiwan Epileds 42mil | 0.8-1.2V 700mA | ||
Aplikasyon
Byen lwen IR 1400nm 1500nm 1550nm SMD dirije Chip sitou itilize pou aplikasyon ki pi ba yo:
- Diamond ak idantifikasyon bijou
- Kamera sekirite
- Machin klasman otomatik pou manje yo ak nwa
- Espesyal kamera militè lè l sèvi avèk

Konsènan GMKJ LEDGMKJ se yon manifakti ISO sètifye nan bon jan kalite segondè, segondè fyab ki ap dirije dyod, ki te fòme nan mwa janvye 2009. Anplwaye nou an gen plis pase 10 ane eksperyans nan ak ekselan angle. Tout anplwaye nou yo gen yon etik travay solid ak yon angajman solid pou bay bon jan kalite pwodwi ki toujou satisfè oswa depase kondisyon kliyan nou yo.
Sèvis nou an:
chajman
Opsyon livrezon: KonesansKi sa ki 1400nm 1500nm byen lwen enfrawouj dirije itilize pou? Byen lwen enfrawouj (FIR) dirije (Light Emitting Diodes) ak yon longèdonn alantou 1500nm yo souvan itilize nan aplikasyon divès kalite. Men kèk nan itilizasyon yo: Tèmik D: Dyod enfrawouj byen lwen yo souvan itilize nan aparèy tèmik D '. Longèdonn alantou 1500nm se nan seri a enfrawouj tèmik, ki fè li apwopriye pou detekte siyati chalè ak kreye imaj tèmik. Aplikasyon medikal: Nan kèk aplikasyon medikal, dirije enfrawouj byen lwen yo itilize pou rezon ki ka geri. Yo kwè radyasyon byen lwen enfrawouj gen benefis tankou ankouraje sikilasyon san ak soulaje doulè nan misk. Sistèm sekirite: Dyod enfrawouj byen lwen yo ka itilize nan kamera sekirite ak sistèm siveyans. Kapasite pou detekte radyasyon enfrawouj pèmèt kamera sa yo pran imaj nan kondisyon ki pa gen limyè oswa ki pa gen limyè. Sistèm kominikasyon: Sistèm kominikasyon enfrawouj, tankou kontwòl remote pou aparèy elektwonik, ka itilize poul ki emèt limyè nan seri enfrawouj la. Longèdonn espesifik la ka varye, men 1500nm se nan seri a tipik pou kominikasyon enfrawouj. Siveyans anviwònman an: Nan aplikasyon pou siveyans anviwònman an, dirije enfrawouj byen lwen yo ka itilize pou mezire tanperati ak rasanble done pou rechèch klima. Li enpòtan pou sonje ke itilizasyon espesifik nan enfrawouj ki ap dirije byen lwen ka varye selon aplikasyon an ak karakteristik sa yo vle nan limyè a emèt.
Pou plis detay, tanpri ekri nou ekip GMLEDs dirèkteman! |
Baj popilè: byen lwen ir 1400nm 1500nm 1550nm smd dirije chip, Lachin, manifaktirè, Swèd, faktori, pri, bon mache, sitasyon, fich done, karakteristik, spesifikasyon




















